散戶瘋搶半導體，資產增速創ETF歷史紀錄

根據市場數據與分析師指出，由於一般投資人對火熱的半導體市場展現出高度熱烈需求，一檔成立僅五週的交易所交易基金已成為歷史上發行最成功的ETF。自4月2日上市以來，Roundhill記憶體ETF(DRAM)已累積超過60億美元的資產，在增長速度上甚至超越了貝萊德(BLK)旗下iShares比特幣信託ETF(IBIT)在2024年初創下的驚人開局紀錄。

AI推升資料中心需求，單日狂吸10億美元

這樣驚人的增長軌跡，反映出華爾街對於資料中心需求爆發將導致記憶體晶片長期短缺的預期，藉此來支撐人工智慧(AI)的發展。ETF Trends投資長Dave Nadig表示，投資人正全心全意地投入這個市場。他指出，Roundhill記憶體ETF(DRAM)僅花了10個交易日就吸引了首個10億美元的資金。在隨後全球晶片製造商表現亮眼的推動下，該ETF更在上週五單一交易日内，創下高達10億美元的淨資金流入，展現出極度瘋狂的市場動能。

補足現有ETF缺口，卡位台韓記憶體大廠

交易員與市場分析師認為，Roundhill記憶體ETF(DRAM)已成為參與半導體市場繁榮極具吸引力的方式，部分原因是它比投資人自行挑選一兩檔個股還要簡單。Roundhill的ETF策略師Thomas DiFazio表示，目前半導體領域的大多數ETF基準指數中，通常只包含一家大型記憶體晶片製造商，也就是在美國上市的美光(MU)。許多其他的半導體基金，例如貝萊德的iShares半導體ETF(SOXX)，並未提供涵蓋美光主要競爭對手的投資管道。

散戶買盤超越輝達，成半導體投資最新指標

盈透證券市場策略師Steve Sosnick指出，許多投資人將這檔ETF視為投資韓國股票的替代工具，因為韓國的SK海力士與三星電子近期股價屢創新高，且都包含在該ETF的投資組合中，同時該基金也持有日本與台灣的相關產業鏈公司。根據追蹤散戶交易活動的Vanda Research計算，散戶投資人在週一買進了價值5500萬美元的該檔ETF，這是自上市以來散戶最大的單日資金流入，甚至超過了同一時期投資人為了擴大產業佈局而投入輝達(NVDA)等熱門個股的資金。

短線面臨過熱回跌風險，上升趨勢依然完好

Vanda全球總經策略師Viraj Patel表示，Roundhill記憶體ETF(DRAM)正迅速成為當前半導體狂熱的代表作，很難找到另一檔ETF能讓散戶在如此短的時間內買進這麼多。然而，巨額資金流入與市場上漲的缺點在於，這會使市場變得波動，容易面臨突發性的拋售。例如，隨著晶片股從近期高點回跌，該ETF在週二重挫了7%，跌幅超過了費城半導體指數的微幅下滑。即使是看好記憶體晶片長期前景的投資人，也開始擔憂該領域已經出現超買現象。不過，盈透證券的Sosnick強調，週二的回跌仍讓該ETF的交易價格維持在近期的移動平均線之上，整體的上升趨勢依然完好無損。

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